OTL-CVD-1200单温区CVD系统详细介绍：
CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，最高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。OTL1200-CVD系统是由3路供气系统+OTL1200管式炉+真空系统组成
OTL1200-CVD系统以进口电阻丝瑞典（Canthal）为加热元件，采用双层壳体结构和日本岛电控温仪表，能进行40段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点，是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
OTL1200-CVD单温区CVD系统技术参数：
| 型号 | 功率 | 炉管尺寸 | 外形尺寸 | 电源电压 |
| OTL1200-CVD-60 | 3.5KW | φ60*1000 | 580*370*540 | 220V |
| OTL1200-CVD-80 | 3.5KW | φ80*1000 | 580*370*590 | 220V |
| OTL1200-CVD-100 | 3.5KW | φ100*1000 | 580*370*590 | 220V |
| OTL1200-CVD-150 | 5KW | φ150*1000 | 580*440*610 | 220V |
OTL1200-CVD管式炉系统：
控温模式：智能PID
断偶保护和显示：有
过温保护：有
过流保护：有
控制精度：+/- 1 ℃
触发器：移相触发
电器：浙江正泰
可控硅：106/16E 德国西门康
最高温度：1200 ℃
额定温度：1100 ℃
升温速率：≤30 ℃/ Min （可根据要求修改）
推荐升温速率：≤15℃/ Min
热电偶型号：K 型
加热段长度：440mm
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