OTL1200S-CVD微型CVD系统详细介绍：
CVD系统由供气系统+管式炉+抽气系统 ，最高温度可以达到1200度、1400度、1600度、1700度，加热区间可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。OTL1200S-CVD系统是由3路供气系统+OTL1200-S管式炉+真空系统组成
OTL1200S-CVD系统以进口电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电控温仪表，2段智能PID，能进行50段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
OTL1200S-CVD系统炉膛
1、真空吸滤成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛。
2、采用日本技术成型。
3、炉膛里电阻丝的间距和节距全部按日本最优的热工技术布置、经过热工软件模拟温场
4、采用4周加热，温场更加均衡
OTL1200S-CVD微型CVD系统规格型号：
| 型号 | 功率 | 炉管尺寸 | 电源电压 |
| OTL1200S-CVD-25 | 1.5KW | φ25*600 | 220V |
| OTL1200S-CVD-50 | 1.5KW | φ50*600 | 220V |
OTL1200S-CVD微型CVD系统技术参数：
控温模式:智能PID
断偶保护和显示:有
过温保护:有
过流保护:有
控制精度:+/- 1 ℃
触发器：移相触发
电器：浙江正泰
可控硅：106/16E 德国西门康
最高温度：1200 ℃
额定温度：1100 ℃
推荐升温速率：≤10℃/ Min
热电偶型号：K 型
加热段长度：200mm
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